Корпорация Intel подтвердила планы строительства нового завода по выпуску полупроводниковой продукции на территории Китая. О том, что Intel получила разрешение от властей КНР на строительство крупной фабрики в городе Далянь, стало известно около двух недель назад. Сообщалось, что на начальном этапе на заводе будет применяться 90-нанометровая технология изготовления чипов, а мощности фабрики будут направлены на производство наборов системной логики и флэш-памяти. Компания Intel сначала отказалась комментировать возможность строительства нового предприятия, однако теперь сделала официальное заявление. Создание фабрики под названием Fab 68 планируется в этом году, а ее ввод в эксплуатацию намечен на 2010 год. Примечательно, что Fab 68 станет первым заводом Intel по выпуску полупроводниковой продукции в азиатском регионе. Корпорация Intel подтвердила, что в проект по созданию фабрики в Китае будут инвестированы 2,5 миллиарда долларов США. По словам исполнительного директора Intel Пола Отеллини, на Fab 68 будет использоваться тот технологический процесс, который позволят экспортировать американские власти. Так что не исключено, что новая фабрика будет выпускать продукцию по 65-нанометровой технологии. Нужно отметить, что на текущий год Intel запланировала начало выпуска микрочипов с применением 45-нанометрового техпроцесса. Данная технология производства, в частности, будет использоваться на заводе Intel Fab D1D в Орегоне, а также фабрике Fab 32 в Чендлере (Аризона). Кроме того, для выпуска продукции по 45-нанометровой технологии в ближайшее время должно быть переоборудовано предприятие Fab 11X в Нью-Мексико. |